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技術指標：Transducers：15MHz/30MHz/50MHz/100MHz/230MHzAreaAccessScanner：327mm×314mmScanresolution：X/Y±0.5μmScanMold：A,B,C,T,Q-BAMImageResolution：2048×2048...
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技術指標：Geometricalmagnification：0-2400Xsystemmagnification：6000XMax.voltage：160KVMax.current：500uAMax.electronbeampower：20WWeightcapacity：5kgMaxsamples...
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技術指標："蒸發速率0.1A/s-20A/s，預蒸發功率10%-45%，蒸發功率0-60%，蒸發厚度：普通金屬（Ni、Al、Ti）5nm-2000nm，貴重金屬（Au、AuGe）5nm-500nm；工作真空：5E-4Pa，溫度：20-300℃*有揮...
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技術指標：利用高能量激光在樣品表面燒灼出一定深度的溝道，實現樣品表面的切割，即解理管芯的目的.儀器用途：主要用于濺射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜，AlN、...
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技術指標：裝片：一片六英寸襯底、或1片四英寸，向下兼容。電源：配備射頻（0-1kw）和直流（0-3kw）各一套。真空配置：機械泵+分子泵極限真空：1.8E-7mbar基片溫度：室溫，連續淀積累積溫度可...
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技術指標：濺射速率0.1A/s-10A/s;反濺射功率0-200W;濺射功率50-500W;濺射厚度：普通金屬（Ni、Al、Ti、Ag、Cr、Cu）5nm-2000nm;貴重金屬（Pt、Au、Pd）5nm-500nm;氣體（Ar、O2、N2）;流...
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技術指標：樣品大小：1、標準片（φ2/4/6英寸）;2、小片（＜2寸大于10mm*10mm);3、晶圓厚度＜3mm。光刻膠類型：1、AZ5214（厚度1.6~2.5μm，可反轉）;2、AZ6112（1.0~2.0μm，正膠）;3、AZ4620...
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技術指標：溫度：0-80度，側壁垂直度：89°±1°。工藝氣體：He，SF6,C4F8,O2，Ar。ICP功率：0-3000W，RF功率：0-300W儀器用途：主要用于硅材料的高速，深度，大深寬比刻蝕。適用于六寸片及以...
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技術指標：SiH4流量0-50sccm，N20流量0-2000sccm，NH3流量0-500sccm，溫度范圍80-350度，RF功率范圍0-300W儀器用途：主要用于SiO2、SiNx、a-Si等介質膜的生長，一次可放置兩寸片5片，四寸片和...
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技術指標：ICP離子源：0-3000WRF射頻源：0-600W裝片：18片兩英寸，向下兼容基底刻蝕溫度：0℃-200℃可調。刻蝕氣體：BCl3、Cl2、HBr、Ar、O2可刻蝕材料包括：GaN、儀器用途：通入反應氣體...
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技術指標：ICP離子源：0-3000W；RF射頻源：0-600W；樣品尺寸：四英寸向下兼容；基底刻蝕溫度：0-200℃可調；可刻蝕材料包括：GaN，GaAs，InP，藍寶石等儀器用途：通入反應氣體使用電感耦合...
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技術指標：注入能量：10keV～1MeV（單價離子）;注入劑量：1E11～1E17ions/cm2;角度：±11°;樣品：6英寸（向下兼容），17片;目前可進行硼、磷、氟、鋁、氮、氬等離子注入.儀器用途：離子注...
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技術指標：真空配置：真空系統采用干泵+冷凝泵，光學膜厚儀監控波長范圍：350-1100nm，波樘精度：
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技術指標：請客戶自行計算曝光時間，以此為依據預約時間。曝光時間計算公式：曝光時間=曝光面積*曝光劑量/束流大小（束流大小一般為100PA）Acceleratingvoltage：25/50kVMinimumlinewid...
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技術指標：主要技術指標：1）±3μm，3σ鍵合后精度；2）芯片鍵合，倒裝鍵合，Wafer-wafer鍵合；3）100kg最大鍵合壓力；4）最高溫度：450℃（工藝參數范圍：樣品尺寸5mm*5mm-5cm*5cm;樣品厚度Chi...
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技術指標：見說明書儀器用途：對細菌的生長過程進行實時監測，并繪制成曲線收費標準：待定機組負責人：顧瑞霞 0514-87978128 rxgu@yzu.edu.cn...
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技術指標：計數重復性≤5%儀器用途：用于放射性檢測收費標準：收費依據：蘇價費[2006]397號蘇財綜[2006]80號蘇環計[2006]30號文件關于印發《江蘇省環境監測專業服務收費管理辦法》和《江蘇省...
