檢測認證人脈交流通訊錄
- 儀器名稱：感應耦合等離子體增強化學氣相沉積機
- 價格型號：System 100 ICP 380 CVD
- 儀器分類：其它
- 應用領域：
- 所屬單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
- 所在地點：
- 產 地：
- 產 商：OXFORD
- 價 值：0
- 購置日期：0000-00-00
技術指標：ICP離子源：0-3000W RF射頻源：0-600W 裝片：18片兩英寸，向下兼容 基底刻蝕溫度：0℃-200℃可調。 刻蝕氣體：BCl3、Cl2、HBr、Ar、O2 可刻蝕材料包括：GaN、
儀器用途：通入反應氣體使用電感耦合等離子體輝光放電將其分解，產生的具有強化學活性的等離子體在電場的加速作用下移動到樣品表面，對樣品表面既進行化學反應生成揮發性氣體，又有一定的物理刻蝕作用。因為等離子體源與射頻加速源分離，所以等離子體密度可以更高，加速能力也可以加強，以獲得更高的刻蝕速率，以及更好的各向異性刻蝕。另外，由于該系統使用了Cl基和Br基的刻蝕氣體，因此該ICP系統適合于對Ⅲ-Ⅴ族化合物材料進行刻蝕。此設備為小批量量產機型，暫只開放GaN與GaAs工藝。
收費標準：900元/小時
機組負責人：張嬪 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn
