技術指標：裝片：一片六英寸襯底、或1片四英寸，向下兼容。電源：配備射頻（0-1kw）和直流（0-3kw）各一套。真空配置：機械泵+分子泵極限真空：1.8E-7mbar 基片溫度：室溫，連續淀積累積溫度可達200℃ 陰極5個靶位，靶材尺寸8英寸。淀積材料：Al、Au、Cu、Cr、Ti、TiW（至少提前1天同工程師預約）

儀器用途：在一相對穩定真空狀態下，陰陽極間產生輝光放電，極間氣體分子被離子化而產生帶電電荷，其中正離子受陰極之負電位加速運動而撞擊陰極上之靶材，將原子等粒子濺出，濺出的粒子則沉積于陽極的基板上而形成薄膜。磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場，由于外加磁場的存在，電子的復雜運動增加了電離率，實現了高速濺射。 0.5小時起預約。由于加班時無人員輪換，每日18:00-19:00時為加班人員短暫休息和用餐時間，涉及到貴重金屬的使用，工藝時需有工作人員在場，非工藝特別趕的情況，請盡量避開預約此段時間。

收費標準：1000元/小時+300元/次工藝＋材料費: 30元/10nm(Au及合金、Pd等)或20元/100nm (其它材料)

機組負責人：張嬪  0512-62872625  pzhang2008@sinano.ac.cn