技術指標：利用高能量激光在樣品表面燒灼出一定深度的溝道，實現樣品表面的切割，即解理管芯的目的.

儀器用途：主要用于濺射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜，AlN、SiO2等介質薄膜，一次可濺射兩寸片5片，四寸片和六寸片1片，向下尺寸兼容，薄膜不均勻性≤±5%。為不影響他人工藝，以及有充足的時間對設備進行維護，氧化物濺射工藝只安排在周五、周六進行。每日18:00-19:00時為加班人員短暫休息和用餐時間，涉及到貴重金屬的使用，工藝時需有工作人員在場，非工藝特別趕的情況，請盡量避開預約此段時間。 1.5小時起預約。

收費標準：According to 350μm×350μm chips，2inch wafer Capacity： 5 wafers/hour Scribed time/wafer： ≤11min Aligned time/wafer： ≤60 s Scribed Depth： 20μm±10% Scribe

機組負責人：張嬪  0512-62872625  pzhang2008@sinano.ac.cn