檢測認證人脈交流通訊錄
技術指標:SiH4流量0-50sccm,N20流量0-2000sccm,NH3流量0-500sccm,溫度范圍80-350度,RF功率范圍0-300W
儀器用途:主要用于SiO2、SiNx、a-Si等介質膜的生長,一次可放置兩寸片5片,四寸片和六寸片1片,薄膜不均勻性≤±3%。 預約友情提示:低溫工藝,請預約每天早上的第一爐工藝;摻雜(包括PH3、GeH4、B2H6、H2)、a-Si每天下午15:00以后可以預約。此類工藝請至少提前一天預約,以便設備做好相應準備。
收費標準:400/30分鐘
機組負責人:張嬪 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn


