技術指標:注入能量:10keV~1MeV(單價離子); 注入劑量:1E11~1E17 ions/cm2; 角度:±11°; 樣品:6英寸(向下兼容),17片; 目前可進行硼、磷、氟、鋁、氮、氬等離子注入.
儀器用途:離子注入機是半導體器件摻雜工藝的關鍵設備,注入過程中可對劑量、能量、角度進行精確控制,從而改變半導體的載流子濃度與導電類型
收費標準:1600元/小時
機組負責人:張嬪 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn
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