技術指標：請客戶自行計算曝光時間，以此為依據預約時間。 曝光時間計算公式：曝光時間=曝光面積*曝光劑量/束流大小（束流大小一般為100PA） Accelerating voltage： 25/50 kV Minimum line width： 10 nm （50 kV?5th） Overlay Accuracy： 40 nm Field stitching Accuracy: 40 nm Exposure range： 直徑75 mm Scan speed：12 MHz to 250 Hz

儀器用途：電子束曝光是利用某些高分子聚合物對電子敏感而形成曝光圖形的，與光學曝光對應，其特點是將聚焦電子束代替光照以實現抗蝕劑（光刻膠）的曝光（改性）。在實驗室廣泛應用的電子束曝光機為矢量掃描高斯型系統，即：電子束斑為高斯線型，工作時采用矢量掃描方式。電子束曝光無需掩膜，可實現低至10nm線寬圖形，是目前納米技術研究中非常重要的納米圖形生成手段。

收費標準：800元/小時

機組負責人：張嬪  0512-62872625  pzhang2008@sinano.ac.cn