檢測認證人脈交流通訊錄
- GaAs材料簡介: 砷化鎵——Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，屬閃鋅礦立方晶體結(jié)構(gòu)，熔點為1238℃。其傳播是各向同性，因而砷化鎵作為紅外窗口和整流罩可用多晶體。 在3μm-5μm和8μm-12μm波段有55%透過率(理論透過率為55.8%)。在12μm以外波段則由于晶格振動吸收，水平法GaAs比垂直法GaAs鏡片的透過率約高1%-2%。GaAs在紅外透明區(qū)的吸收主要是自由載流子吸收，即自由電子吸收。GaAs的紅外吸收主要決定于晶格振動吸收，自由電子和電子躍遷吸收。 采用摻雜、合成、高壓爐內(nèi)一次直接完成拉晶的方法，結(jié)合鉻、氧雙摻的補償摻雜新工藝和熱處理工藝，穩(wěn)定批量研制超萬瓦ＧａＡｓ紅外激光窗口材料。該材料具有吸收系統(tǒng)低、機械強度高、熱破裂品質(zhì)因素和光畸變品質(zhì)因素高等特點，成功地應(yīng)用于１２ｋＷ連續(xù)二氧化碳強激光器上連續(xù)輸出８ｈ而不發(fā)生破裂。 激光鏡片，激光雕刻機專用 本類材質(zhì):GaAs（黑色） 單晶體軍工級材料 本類特性：耐高溫，穩(wěn)定， 本類可選規(guī)格：直徑18/19/20 焦距50/63.5/75/100 咨詢電話：13681438403 李利平
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