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EEG 性能測(cè)試儀 SEEG100E

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品　　牌：
鯨揚(yáng)

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出廠價(jià)：
0

主要規(guī)格：
SEEG100E

用　　途：
專為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試

SEEG 100E腦電性能測(cè)試儀專為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試產(chǎn)品詳情產(chǎn)品簡(jiǎn)介專為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試產(chǎn)品特點(diǎn) 1.為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試 2.依據(jù)較新的EEG國(guó)際法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)IEC 80601-2-26:2019所設(shè)計(jì) 3.電路設(shè)計(jì)，可輸出1μV微小訊號(hào) 4.9通道自動(dòng)切換開關(guān)可作個(gè)別信道的性能測(cè)試 5.內(nèi)建620kΩ/4.7nF輸出阻抗測(cè)試的EEG標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路 6.良好的屏蔽與接地設(shè)計(jì)讓訊號(hào)輸出更加準(zhǔn)確 7.可做為EEG訊號(hào)撥放器，可撥放PhysioNet EDF、text、binary格式的波型訊號(hào) 8.IEC 80601-2-26小幫手可簡(jiǎn)化法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所需花費(fèi)的人力與時(shí)間產(chǎn)品規(guī)格參數(shù) 規(guī)格主輸出電壓準(zhǔn)確度 0.2 mVpp或更高的振幅，大小需在±1％內(nèi) 主輸出電壓分辨率（DAC分辨率） 0.5μV 頻率/脈沖準(zhǔn)確度 ±1% 脈沖間期/時(shí)間準(zhǔn)確度 ±1ms 電阻準(zhǔn)確度 ±1% 電容精確度 ±5% 精密500:1分壓器 ±0.2% 取樣率 5kHz ± 0.1% 直流偏移（內(nèi)部超級(jí)電容提供的固定電壓、無噪聲偏移） 150mV± 1% 直流偏移（細(xì)調(diào)，可包含50μVpp噪聲）設(shè)定 ±1% 或 ±3mV 電源供應(yīng) USB +5V直流電源（不需要再外加其他電源）0.5A（高功率模式）環(huán)境 15?30℃（理論值） 30?80％RH（理論值）安全性電磁兼容性 (EMC) 沒有適用的安全標(biāo)準(zhǔn)（上限內(nèi)部電壓 12Vdc）尚未進(jìn)行 EMC 測(cè)試。符合 CE 標(biāo)志，并有作 USB IC 的保護(hù)，及特殊的濾波器，以減少來自微處理器（8MHz）和 DC/ DC 轉(zhuǎn)換器（200kHz）的噪聲。

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