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IGBT功率器件動態參數測試儀華科智源

IGBT功率器件動態參數測試儀主機可執行非破壞性的瞬態測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析，可執行電阻和電感的開關時間，開關損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態測試。 IGBT功率器件動態參數測試儀概述測試電壓：zui大1200 VDC 200（短路電流可達1000A）定時測量：zui低為1 ns 漏電流限制監視器 - MOSFET開關時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps - MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps - Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us - MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps - IGBT感性開關時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH - IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A 測試標準： - MIL-STD-750 Series ITC57300mos管功率器件動態參數測試儀選項額外的電源供應器額外的測試頭大包裝適配器 ITC57300mos管功率器件動態參數測試儀測試頭 ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關時間 ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473 ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471 ITC57240 - 電感式開關時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477 ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479

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