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功率半導(dǎo)體測(cè)試儀

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品　　牌：
華科智源

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出廠價(jià)：
1

主要規(guī)格：
1

用　　途：
廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試，軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析

HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT測(cè)試儀一：IGBT測(cè)試儀主要特點(diǎn) 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過程簡單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試； IGBT測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。二：華科智源IGBT測(cè)試儀應(yīng)用范圍 A：IGBT單管及模塊， B：大功率場效應(yīng)管（Mosfet） C：大功率二極管 D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻 E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè) 三、華科智源IGBT測(cè)試儀特征： A：測(cè)量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣； C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測(cè)量精度2mV E：Vce測(cè)量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護(hù)被測(cè)量器件 H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能 I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù) K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；序號(hào) 測(cè)試項(xiàng)目描述測(cè)量范圍分辨率精度 1 VF 二極管正向?qū)▔航? 0~20V 1mV ±1%,±1mV 2 IF 二極管正向?qū)娏? 0~1200A ≤200A時(shí),0.1A ≤200A時(shí),±1%±0.1A 3 ＞200A時(shí),1A ＞200A時(shí),±1% 4 Vces 集電極-發(fā)射極電壓 0~5000V 1V ±1%,±1V 5 Ic 通態(tài)集電極電流 0~1200A ≤200A時(shí),0.1A ≤200A時(shí),±1%±0.1A 6 ＞200A時(shí),1A ＞200A時(shí),±1% 7 Ices 集電極-發(fā)射極漏電流 0~50mA 1nA ±1%,±10μA 8 Vgeth 柵極-發(fā)射極閾值電壓 0~20V 1mV ±1%,±1mV 9 Vcesat 集電極-發(fā)射極飽和電壓 0~20V 1mV ±1%,±1mV 10 Igesf 正向柵極漏電流 0~10uA 1nA ±2%,±1nA 11 Igesr 反向柵極漏電流 12 Vges 柵極發(fā)射極電壓 0~40V 1mV ±1%,±1mV 測(cè)試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用 1) 物理規(guī)格設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；質(zhì)量：30kg 2) 環(huán)境要求海拔高度：海拔不超過 1000m；儲(chǔ)存環(huán)境：-20℃～50℃；工作環(huán)境：15℃～40℃。相對(duì)濕度：20%RH ~ 85%RH ；大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害； 3) 水電氣用電要求：AC220V，±10%；電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

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