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深圳市華科智源科技有限公司

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大功率IGBT測試儀

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品　　牌：
華科智源

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出廠價：
60000

主要規(guī)格：
HUSTEC-5000

用　　途：
，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修

HUSTEC-5000

功率器件參數及圖示測試系統

1． 系統配置簡介

1.1 系統概述

HUSTEC-5000是一款很具有代表性的新型半導體晶體管圖示系統，本系統可自動生成功率器件的I-V曲線，也可根據客戶的實際需求設置功能測試，直接讀取數顯結果。系統在失效分析，IQC來料檢驗及高校實驗室等部門有廣泛的應用。系統生成的曲線都使用ATE系統逐點建立，保證了數據的準確可靠。系統典型的測試時間是6 to 20ms,通常上百個數據點曲線只需要幾秒鐘時間便可以展現出來，數據捕獲的曲線可導入EXCEL等格式進一步分析研究，是一款多功能的半導體測試設備。

本系統使用方便，只需要通過USB或者RS232與電腦連接，通過電腦中友好的人機界面操作，即可完成測試。并可以實現測試數據以EXCEL和WORD的格式保存。系統提供過電保護功能，門極過電保護適配器提供了廣泛的診斷測試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時間都可以檢測。對診斷設備狀態(tài)和測試結果提供了可靠地保證。

1.2 HUSTEC-5000測試儀指標

技術指標
主極參數			控制極參數
指標	標配		指標	標配
②主極電壓:	1mV-2000V		①控制極電壓：	100mV-20V
②電壓分辨率：	1mV		②電壓分辨率：	1mV
③主極電流：	0.1nA-100A	可擴展1250A	③控制極電流：	100nA-10A
④電流分辨率：	0.1nA
⑤測試精度：	0.2%+2LSB
⑥測試速度：	0.5mS/參數

1.3 HUSTEC-5000測試系統是一套高速多用途半導體分立器件智能測試系統，它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力，可真實準確測試下列各種大、中、小功率的半導體分立器件。

測試范圍 / 測試參數
序號	測試器件	測試參數
01	絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT	ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON； VGEON；VF；GFS
02	MOS場效應管 MOS-FET	IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS； VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS
03	J型場效應管 J-FET	IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON； IDSS；GFS；VGSOFF
04	二極管 DIODE	IR；BVR ；VF
05	晶體管（NPN型/PNP型）	ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO； BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF
06	雙向可控硅 TRIAC	VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-
07	可控硅 SCR	IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM； IGT；VGT；IL；IH
08	硅觸發(fā)可控硅 STS	IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW-
09	達林頓陣列 DARLINTON	ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO； BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ； VCESAT； VBESAT；VBEON
10	光電耦合 OPTO-COUPLER	ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO； CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)
11	繼電器 RELAY	RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME
12	穩(wěn)壓、齊納二極管 ZENER	IR；BVZ；VF；ZZ
13	三端穩(wěn)壓器 REGULATOR	Vout；Iin；
14	光電開關 OPTO-SWITCH	ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF
15	光電邏輯 OPTO-LOGIC	IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF
16	金屬氧化物壓變電阻 MOV	ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；
17	固態(tài)過壓保護器 SSOVP	ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、 IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-
18	壓變電阻 VARISTOR	ID+； ID-；VC+ ；VC-
19	雙向觸發(fā)二極管 DIAC	VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

1.4系統曲線測試列舉
ID vs. VDS at range of VGS

ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD

RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS

IDSS vs. VDS
HFE vs. IC

BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE

BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC

VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF

1.5系統軟件支持

器件測試程序的生成是通過在一臺運行系統為Windows或WindowsNT的PC機上接口程序實現的。該程序提供快速的器件測試程序生成，具有全屏顯示和增強型編輯幫助。

一種填空式編程方法向用戶提供簡明、直觀的使用環(huán)境。操作人員只需在提示下，輸入所選器件系列名稱和測試類型，并選擇所需測試的參數，而不必具有專業(yè)計算機編程語言知識。完成一個器件的測試程序編制只需幾分鐘的時間，非常快捷方便。

2．系統內部簡介

2.1 概述

HUSTEC-5000測試系統通過PC機對其內部功率源、測試施加條件、測試具體線路進行控制，達到對器件進行測試的目的。在一定的測試條件下，這些源與條件負載按照條件準確的連接，其中包含了大量的負載、轉換功率源和所要求的外部測試線路。

2.2大功率半導體測試系統特點：
1.圖形顯示功能

2.局部放大功能
3.程序保護最大電流/電壓,以防損壞

4.品種繁多的曲線
5.可編程的數據點對應

6.增加線性或對數
7.可編程延遲時間可減少器件發(fā)熱

保存和重新導入入口程序
9.保存和導入之前捕獲圖象

10. 曲線數據直接導入到EXCEL
11.曲線程序和數據自動存入EXCEL

12.程序保護最大電流/電壓,以防損壞

3．系統規(guī)格及技術指標

工作溫度：25℃--40℃

貯存溫度: -15℃-50℃

工作濕度：45%--80%

貯存濕度：10%--90%

工作電壓：200v--240v

電源頻率：47HZ--63HZ

接地要求：供電電源應良好接地。

通信接口：RS232 USB

系統功耗：<150w

設備尺寸：450mm×570mm×280mm

4、測試夾具、適配器

使用該系統測試二極管、齊納二極管、三極管、場效應管、固定三端穩(wěn)壓器、可控硅等半導體分立器件，不需要適配器盒，只需把測試夾具插到系統前面板，把待測試的器件直接插到測試夾具上即可進行測試。

1）二極管夾具

細引線同軸二極管測試夾具

粗引線同軸二極管測試夾具

這兩種夾具采用測試同軸引線（兩端器件）二極管的插座。

DO4/5A 用于測試DO-4、DO-5封裝的管子，螺栓頭接陽極A

DO4/5K 用于測試DO-4、DO-5封裝的管子，螺栓頭接陰極K （極性與D4/5A不同）。

2）三極管夾具

TO220 用于測試TO-220封裝的三極管

TO3/66 用于測試TO-3、TO-66的三極管（即F1、F2封裝）。

TO72 用于測試TO- 72封裝的三極管，四腳插座。

TO5/18 用于測試TO-5、TO-8封裝的三極管，金屬殼封裝。

TO92 用于測試TO-92封裝、基極在中央的小功率塑封三極管。

3）可以提供各種表面貼封形式的分立器件的測試夾具。

4）測試下列器件，除需要與封裝對應的測試夾具外，還需選用以下測試適配器：

HUSTEC-2000：用于測試DIP4---DIP16多光耦。
HUSTEC-300：用于測試達林頓陣列（如ULN2003等）。
HUSTEC-320：用于測試三端穩(wěn)壓器。
HUSTEC-6010：用于多器件掃描測試。
HUSTEC-390：用于測試繼電器。

5）IGBT測試夾具

5、系統主機產品詳細測試參數

器件參數/技術指標

5.1 晶體管 TRANSISTOR

測試參數名稱

電壓范圍

電流范圍

分辨率

精度

ICBO ICEO/R/S/V

IEBO

0.10V to 999V(2kV)^（1）

0.10V to 20V( 80V)^（3）

1nA(10pA)^（2）

to 50mA 1nA(10pA)^（2）to 3A

1nA(1pA)^（2）

1%+1nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)^（2）

BVCEO

(電流大于10mA，

脈沖寬度300us)

BVCBO

BVEBO

0.10V to 450V( 900V)^（1）

to 700V(1.4kV)^（1）

to 1kV(2kV)^（1）

0.10V to 999V(2kV)^（1）

0.10V to 20V(80V)^（3）

1nA to 200mA

to 100mA

to 50mA

1nA(10pA)^（2）to 3A

1mV

1%+10mV

hFE

(1 to 99,999)

VCE: 0.10V to 5.00V^（5）

to 9.99V

to 49.9V

IC: 10uA

to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾ to 3A

IB: 1nA to 10A

0.01hFE

VCE: 1%+10mV

IC: 1%+1nA

IB: 1%+5nA

VCESAT

VBESAT

VBE(VBEON)

RE(間接參數)

VCE：

0.10V to 5.00V

to 9.99V

VBE：.10V to 9.99V

IE： to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾

IB：1nA to 10A

1mV

V：1%＋10mV

IE：1%＋1nA

IB：1%＋5nA

5.2二極管DIODE

測試參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
IR	0.10V to 999V(2kV)^（1）	1nA(10pA)^（2） to 50mA	1nA(1pA)^（2）	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)^（2）
BVR	0.10V to 999V(2kV)^（1）	1nA to 3A	1mV	1%+10mV
VF	0.10V to 5.00V to 9.99V	IF: 10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾ (1250A)⁽⁴⁾ to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾	1mV	VF: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA

5.3 穩(wěn)壓二極管、齊納二極管ZENER

測試參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
IR	0.10V to 999V(2kV)^（1）	1nA(10pA)^（2）to 50mA	1nA(1pA)^（2）	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)^（2）
BVZ VzMIN IR	0.1V to 5.000V to 9.999V to 50.00V to 700V(1.4kV)⁽¹⁾ to 999V(2kV)⁽¹⁾ BVZ Soak- 50V(100V)⁽¹⁾ 0 to 50ms to 99sec	10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾ (1250A)⁽⁴⁾ to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾ to 3A to 100mA to 50mA to 400mA to 80mA	1mV	1%+10mV
VF	0.10V to 5.00V to 9.99V	IF:10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾ (1250A)⁽⁴⁾ to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾	1mV	V: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA
ZZ(1kHz) 0.1Ω to 20kΩ	0.1V to 200VDC 50μV to 300mV RMS	100μA to 500mA DC	0.001Ω 1μV	1%+1%量程

5.4 三端電源穩(wěn)壓器件REGULATOR

測試參數名稱

電壓范圍

電流范圍

分辨率

精度

Input / Output

Regulation

(混合參數)

VO：0.10V to 20V(50V)⁽³⁾

VIN：0.10V to 49.9V

負載：電阻或電流型

IO： 1mA to 5A

1mV

1%+10 mV

IIN

VIN：0.10V to 20V(50V)⁽³⁾

負載：RGK 1kΩ、10kΩ

外接，開路，短路

IIN：1mA to 3A

10nA

1%+5nA

5.5 J型場效應管J-FET

測試參數名稱

電壓范圍

電流范圍

分辨率

精度

IGSS

IDOFF、IDGO

VGS:0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

VDS:0.10V to 999V(5kV)⁽¹⁾

1nA(10pA) ⁽²⁾

to 3A 1nA(10pA) ⁽²⁾

to 50mA

1nA(1pA)⁽²⁾

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)⁽²⁾

BVDGO

BVGSS

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

1nA to 50 mA

1nA to 3A

1mV

1%+100mV

1%+10mV

VDSON，VGSON

IDSS，IDSON

RDSON (混合參數)

gFS (混合參數)

0.10V to 5.00V

to 9.99V

ID: 10uA

to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾

IG：1nA to 10A

1mV

V：1%+ 10mV

ID：1%+1nA

IG：1%+5nA

VGSOFF

0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

ID：1nA（10pA）^（2）to 3A

VD：0.10V to 50V

1mV

1%＋10mV

5.6 MOS場效應管 MOS-FET

測試參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
IDSS/V IGSSF IGSSR VGSF VGSR	0.10V to 999V(2kV⁽¹⁾ 0.10V to 20V(80V)⁽³⁾	1nA(10pA)⁽²⁾ to 50mA 1nA(10pA)⁽²⁾ to 3A	1nA(1pA) ⁽²⁾	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾
BVDSS	0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾	1nA to 50mA	1mV	1%+100mV
VGSTH	0.10V to 49.9V	ID: 100uA to 3A	1mV	1%+ 10mV
VDSON、VF(VSD) IDON、VGSON RDSON( 混合參數 ) gFS (混合參數 )	VD、VF： 0.10V to 5.00V to 9.99V VGS：0.10V to 9.99V	IF、ID：10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾ to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾ IG：1nA to 10A	1mV	V： 1%+10mV IF、ID：1%+1nA IG： 1%+5nA

5.7雙向可控硅開關器件（雙向晶閘管）TRIAC

測試參數名稱

電壓范圍

電流范圍

分辨率

精度

IDRM IRRM

IGKO

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

1nA(10pA) ⁽²⁾to 50mA

1nA(10pA) ⁽²⁾to 3A

1nA(1pA)^（2）

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾

VD+、VD-

BVGKO

0.01V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

1nA to 50mA

1nA to 3A

1mV

1%+100mV

1%+10 mV

VT+ VT-

0.10V to 5.00V

to 9.99V

10uA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾

IGT：1nA to 10A

1mV

V：1%+10mV

IT：1%+1nA

IGT：1%+5nA

I GT 1/2/3/4

VGT 1/2/3/4

VGT:0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

VT: 100mV to 49.9V

IGT： 1nA to 3A

RL:12Ω.30Ω.100Ω.EXT

1mV

1nA

1%＋10mV

1%＋5nA

IL+、IL-

( 間接參數 )

VD:5V to 49.9V

IL: 100μA to 3A

IGT: 1nA to 3A

RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT

N/A

IH+、IH-

VD:5V to 49.9V

IH: 10uA to 1.5A

IGT: 1nA to 3A

RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT

(IAK初值由RL設置 )

1uA

1%+2uA

5.8 單向可控硅整流器（普通晶閘管）SCR

測試參數名稱

電壓范圍

電流范圍

分辨率

精度

IDRM、IRRM、

IGKO

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V( 80V)⁽³⁾

1nA(10pA)^（2）to 50mA 1nA(10pA)^（2）

to 3A

1nA(1pA)^（2）

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)^（2）

VDRM、VRRM

BVGKO

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V( 80V) ⁽³⁾

1nA to 50mA

1nA to 3A

1mV

1%+100mV

1%+ 10mV

VTM

0.10V to 5.00V

to 9.99V

10μA to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾

1 mV

VT：1%+10mV

IT： 1%+1nA

I GT

VGT

VD: 5V to 49.9V

VGT:0.10V to 20V(80V)⁽³⁾

VT:100mV to 49.9V

IGT: 1nA to 3A

RL: 12Ω、30Ω、100Ω、

EXT

1 mV

1nA

1%+10mV

1%+ 5nA

( 間接參數 )

VD：5V to 49.9V

IL: 100μA to 3A

IGT: 1nA to 3A

RL: 12Ω,30Ω,100Ω,EXT

N/A

VD：5V to 49.9V

IH: 10uA to 1.5A

IGT: 1nA to 3A

RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT

(IAK初值由RL設置 )

1uA

1%+2uA

5.9 光電耦合器件OPTO-COUPLER

測試參數名稱

電壓范圍

電流范圍

分辨率

精度

ICOFF、ICBO

0.10V to 999V(2kV) ⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

1nA(10pA) ⁽²⁾ to 50mA 1nA(10pA) ⁽²⁾ to 3A

1nA(1pA) ⁽²⁾

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾

BVCEO BVECO

BVCBO

BVEBO

0.10V to 450V( 900V) ⁽¹⁾

to 700V(1.4kV) ⁽¹⁾to 1kV(2kV) ⁽¹⁾

0.10V to 999V(2kV) ⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

100μA to 200mA

to 100mA to 50mA

1nA(10pA) ⁽²⁾ to 50mA

1nA to 3A

1mV

1%+100 mV

1%+10mV

CTR(0.01 to 99.999)

hFE (1 to 99.999)

VCESAT VSAT

VF(Opto-Diode)

VCE: 0.10V to 5.00V⁽⁵⁾

to 9.99V

to 49.9V

VF: 0.10V to 9.99V

IC: 10uA

to 49.9A(200A)⁽⁵⁾(1250A)⁽⁴⁾

to 25A(100A)⁽⁵⁾ (625A)⁽⁴⁾ to 3A

IF, IB: 1nA to 10A

0.0001CTR

0.01hFE

VCE: 1%+10mV

IC: 1%+1nA

IF, IB: 1%+5nA

6.10光電開關管OPTO-SWITCH

測試參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
ICOFF	0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾	1nA(10pA) ⁽²⁾to 50mA	1nA(1pA)⁽²)	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾
VD	0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾	1nA to 50mA	1mV	1%+100mV
Notch= IGT1、IGT4 VON=VSAT (Coupled)	VD: 0.10V to 5.00V to 9.99V to 49.9V	IGT：1nA to 3A	1mV	IGT: 1%+5nA 1%+10mV
ION = IGT1、IGT4 IOFF = IGT1、IGT4		IGT：1nA to 3A	1mV	IGT: 1%+5nA

6.11光電邏輯器件OPTO-LOGIC

測試參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
IR	0.10V to 20V(80V)⁽³⁾	1nA(10pA) ⁽²⁾ to 50mA	1nA(1pA) ⁽²⁾	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) ⁽²⁾
VF	0.10V to 20V	IF: 1nA to 10A	1mV	1%+10mV
VOH VOL	0.10V to 9.99V	1nA to 49.9A	1mV	1%+10mV
IFON IFOFF ITH+B ITH-B ITH+I ITH-I	0.10V to 9.90V	1nA to 10A	1mV	1%+10mV

6.12 金屬氧化物壓變電阻MOV

測試參數名稱

電壓范圍

電流范圍

分辨率

精度

ID+ ID-

2.50mV

to 49.9V(100V) ⁽¹⁾

1nA(10pA)⁽²⁾to 3A

1nA(1pA) ⁽²⁾

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)⁽²⁾

VN+ VN-

VC+ VC-

0.10V to 450V( 900V)⁽¹⁾

to 700V(1.4kV) ⁽¹⁾to 999V(2kV)⁽¹⁾

1nA(10pA)⁽²⁾ to 200mA

to 100mA to 50mA

1mV

1%+1%量程

6.13 固態(tài)過壓保護器SSOVP

測試參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
ID+ ID-	2.50mV to 1kV(2kV)^（1）	1nA(10pA)⁽²⁾to 3A	1nA(1pA)⁽²⁾	1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)⁽²⁾
VCLAMP+, VCLAMP-	2.50mV to 1kV(2kV)^（1）	10mA to 900mA	1mV	1%+1%量程
VT+、VT-	5mV to 20V	IT：1nA to 49.9A IB：10mA to 900mA	1mV	V: 1%+10Mv IT: 1%+1nA IB：1%+5nA
IH+、IH-	VHVGS: 100mV to 20V	IH: 10mA to 1A	1uA	1%+2uA
IBO+ IBO-	VT: 2.50mV to 400V⁽¹⁾	IB: 10mA to 900mA	1nA(1pA) ⁽²⁾	1%+1nA
VBO+ VBO-	2.50mV to 400V	10mA to 900mA	1mV	1%+10mV
VZ+ VZ- VT+ VT-	2.50mV to 1kV 5.00mV to 20V	1nA to 3A IT: 1nA to 49.9A IB: 10mA to 900mA	1mV	V: 1%+10mV

6.14 繼電器RELAY

測試參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
RCOIL 1Ω to 10kΩ	2.50V to 999V	10mA to 3A	0.001Ω	1%+1%量程
VOPER	100mV to 49.9V		0.1V	1% + 0.1V
VREL	100mV to 49.9V		0.1V	1% + 0.1V
RCONT (10mΩ to 10kΩ)	2.5mV to 49.9V	10mA to 9.90A	0.001Ω	1%+1%量程
OPTIME / RELTIME ( 100us to 65ms)	2.5mV to 49.9V		1us	1%+1%量程

6.15 絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT

測試參數名稱

電壓范圍

電流范圍

分辨率

精度

ICES IGESF

IGESR

0.10V to 999V(2kV)⁽¹⁾

0.10V to 20V(80V) ⁽³⁾

1nA(10pA)⁽²⁾to 50mA

1nA(10pA)⁽²⁾ to 3A

1nA(1pA) ⁽²⁾

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)⁽²⁾

BVCES

0.1V to 450V( 900V)⁽¹⁾

to 700V(1.4V)⁽¹⁾ to 1kV(2kV)⁽¹⁾

100μA to 200mA

To 100mA to 50mA

1mV

1%+

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