方案優(yōu)勢

見價(jià)值對照表

采用標(biāo)準(zhǔn)

相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

方法/原理/步驟

　　【基本原理】

　　系統(tǒng)整體采用非接觸測量方式，通過在流水線中設(shè)置五個(gè)工位，分別實(shí)現(xiàn)硅片各個(gè)參數(shù)的檢測。其中，電阻率、厚度、TTV、P/N型號、Bow/Warp采用電渦流法和電容法實(shí)現(xiàn)非接觸自動(dòng)檢測；輪廓尺寸采用機(jī)器視覺技術(shù)實(shí)現(xiàn)；隱裂、孔洞缺陷通過紅外視覺技術(shù)實(shí)現(xiàn)；表面臟污缺陷通過機(jī)器視覺技術(shù)并輔以特殊設(shè)計(jì)光源實(shí)現(xiàn)；線痕缺陷通過光針掃描技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

　　【解決方案價(jià)值對照表】

儀器設(shè)備

　　【產(chǎn)品描述】

　　該系統(tǒng)可對太陽能硅片的電性能、幾何尺寸、外觀缺陷進(jìn)行全自動(dòng)分揀，硅片生產(chǎn)企業(yè)應(yīng)用此系統(tǒng)，替代以往人工檢測方式，大大提高了檢測效率，充分滿足了硅片使用廠家的質(zhì)量要求，同時(shí)降低了該企業(yè)和下游企業(yè)的整體質(zhì)控成本，提高了客戶在行業(yè)的競爭力。

　　【規(guī)格指標(biāo)】

　　(1)能夠適應(yīng)三種規(guī)格單晶硅片檢測需求，包括6吋(邊長125mm×125mm，對角線150mm)、6.5吋(邊長125mm×125mm，對角線165mm)、8吋(邊長156mm×156mm，對角線200mm)；

　　(2)能夠檢測硅片各種缺陷，包括電阻率、厚度、TTV、P/N、線痕、幾何尺寸、臟污、孔洞、隱裂、BOW/WARP；

　　(3)檢測效率：3000片/小時(shí)；

　　(4)進(jìn)料機(jī)構(gòu)采用物料籃(花籃)自動(dòng)進(jìn)料，物料籃必須與設(shè)備配套使用，人工將物料籃安裝到設(shè)備進(jìn)料口，安裝過程應(yīng)簡單快捷；

　　(5)合格標(biāo)準(zhǔn)可設(shè)定，以適應(yīng)區(qū)分不同的質(zhì)量級別；

　　(6)具備硅片分選功能。一個(gè)分選模塊有6個(gè)分選工位，各工位的分選標(biāo)準(zhǔn)可以自定義，既可以將每個(gè)分選工位設(shè)置成一種缺陷的幾個(gè)等級(等級劃分由客戶自定義，但不可超過6級)，也可以將每個(gè)分選工位設(shè)置成幾種不同的缺陷(最多設(shè)置6種缺陷)。客戶可設(shè)置缺陷種類的優(yōu)先級，若硅片上具有兩種或多種缺陷時(shí)按照客戶定義的優(yōu)先級進(jìn)行分選；如果認(rèn)為6個(gè)分選工位不能滿足使用要求，則可以購買多臺(tái)分選模塊；

　　(7)上、下料及檢測過程中防止硅片碰傷與損壞，碎片率要求<0.1%；可以進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、統(tǒng)計(jì)、分析、查詢及圖表繪制等。配備網(wǎng)絡(luò)接口，可以進(jìn)行測量設(shè)備現(xiàn)場聯(lián)網(wǎng)統(tǒng)一控制管理。測量結(jié)果能夠打印輸出；

　　(8)設(shè)備具備安全防護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)保護(hù)。配備急停裝置，發(fā)生緊急情況時(shí)可立即停止設(shè)備，防止意外傷害；

　　(9)采用模塊化設(shè)計(jì)，便于維護(hù)和維修。

【應(yīng)用擴(kuò)展】

　　此解決方案經(jīng)適量修改，也可適用于太陽能電池板、多晶硅、單晶硅檢測等。