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Okbiobased認證 Okbiobased是比利時對生物基低碳產品的環保標簽，生物產品生產廠家取得認證后可以將其標簽貼在產品外包裝上或者產品上，以區分于普通石化產品。 &...
福建
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Questionnaire bioplastics associations-national
OWSN.V.DokNoord5B-9000Gent,BelgiumTel:+3292330204Website:www.ows.be QUESTIONNAIRE–FP7Project&...
福建
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OWSLABORATORY:RECOGNITIONS · GLP(GoodLaboratoryPractices–Belgium):...
福建
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SECRECYAGREEMENT ThisAgreementmadeandenteredintothisxthdayofMONTH20XX(“EFFECTIVEDATE”)byandbetween: ‘SPONSOR&...
福建
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重磅解讀｜2026 年 6 月 1 日日本 JFSL 370 新規落地，中國 FCM 出口企業必看合規攻略
各位行業同仁，大家好！我是廣東杰信檢驗認證有限公司的鄒工。深耕食品接觸材料（FCM）檢測認證領域多年，近期被問及最多的，就是日本厚生勞動省370公告（JFSL370）2026年6月1日新規的...
廣東廣州市
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生物可降解測試及認證（EN 13432&ASTM D6400）
EN13432&ASTMD6400&ASTMD6868產品測試及認證可降解物質／產品測試認證－可降解標志可降解產品認證相關標準：-DINV54900:“Testingofthecompostabilityofplastics”（replacedb...
福建
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上海芮生建設獲得普諾思認證：ISO9001質量管理體系認證證書；ISO14001 環境管理體系認
為全面升級施工標準化體系、規范企業運營管理、提升工程品質與安全生產能級，上海芮生建設工程有限公司順利通過普諾思認證檢測有限公司嚴格審核考評，成功斬獲ISO9001質量管理體系、ISO14001環...
上海
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上海崇明區100㎡屋頂露天防水案例｜戶外屋面耐候防水修繕實錄
一、崇明區露天屋頂防水施工難點分析上海崇明區地處濱江臨海區域，屬于典型的濱海濕潤氣候，和上海市區相比，空氣濕度更高、海風鹽霧大、臺風暴雨頻次多、夏季紫外線更強。區域內多數小區、...
上海
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西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是CNAS認可實驗室，屬于大功率器件測試服務...
陜西
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西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是CNAS認可實驗室，屬于大功率器件測試服務...
陜西
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西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是CNAS認可實驗室，屬于大功率器件測試服務...
陜西
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西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是CNAS認可實驗室，屬于大功率器件測試服務...
陜西
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分立器件靜態參數測試（DC） 執行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-2012、GJB128B-2021試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件...
陜西西安
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分立器件靜態參數測試（DC） 執行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-2012、GJB128B-2021試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件...
陜西西安
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分立器件靜態參數測試（DC） 執行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-2012、GJB128B-2021試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件...
陜西西安
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分立器件靜態參數測試（DC） 執行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-2012、GJB128B-2021試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件...
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分立器件靜態參數測試（DC） 執行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-2012、GJB128B-2021試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件...
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分立器件靜態參數測試（DC） 執行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-2012、GJB128B-2021試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件...
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分立器件靜態參數測試（DC） 執行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-2012、GJB128B-2021試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件...
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分立器件靜態參數測試（DC） 執行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332-2012、GJB128B-2021試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件...
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