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硅單晶電阻率測定方法GB/T1551-2009,硅單晶電阻率測定方法GB/T1551-2009
北京
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硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法GB/T14144-2009,硅中代（替）位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T1558-2009,硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1557-2006,硅晶體中間隙氧含量徑向變...
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硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法GB/T1554-2009,硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法GB/T1554-2009
北京
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非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1550-1997,非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1550-1997
北京
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半導體單晶晶向測定方法GB/T1555-2009,硅片參考面結晶學取向X射線測量方法GB/T13388-2009,半導體單晶晶向測定方法GB/T1555-2009硅片參考面結晶學取向X射線測試方法GB/T13388-2009...
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硅片厚度和總厚度變化測試方法,GB/T6618-2009,硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6618-2009,自動無接觸掃描方法對硅片平整度、厚度及厚度變化的標準測試方法SEMIMF1530-0707...
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硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6618-2009,硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6618-2009,自動無接觸掃描方法對硅片平整度、厚度及厚度變化的標準測試方法SEMIMF1530-0707...
北京
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硅片表面平整度測試方法GB/T6621-2009,硅片表面平整度測試方法GB/T6621-2009,自動無接觸掃描方法對硅片平整度、厚度及厚度變化的標準測試方法SEMIMF1530-0707...
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硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T6620-2009,硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T6620-2009,用自動無接觸掃描方法測量硅片翹曲度的標準測試方法SEMIMF1390-0707...
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硅片彎曲度測試方法GB/T6619-2009
北京
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硅單晶電阻率測定方法GB/T1551-2009,半導體硅片電阻率及硅薄膜層電阻測定非接觸渦流法GB/T6616-2009
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硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法GB/T14144-2009,硅中代（替）位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T1558-2009
北京
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用穩態表面光電壓法測量硅中少數載流子擴散長度的標準方法SEMIMF391-0708,用微波反射非接觸光電導衰減方法測試硅晶片載流子復合壽命的方法SEMIMF1535-0707...
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硅拋光片表面質量目測檢驗方法GB/T6624-2009
北京
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國家木材與木制品性能質量監督檢驗中心由國家投資建設，主要面向商貿流通領域的第三方權威檢測機構，接受政府部門、社團組織、企事業單位及個人的委托檢測,主要從事木制品（木門、木地板）、木...
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使用全反射X光熒光光譜測量硅片表面金屬沾污的測試方法SEMIMF1526-1103
北京
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硅拋光片氧化誘生缺陷的檢測方法GB/T4058-2009
北京
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硅片直徑測量方法-光學投影法GB/T14140.1-1993,硅片直徑測量方法-千分尺法GB/T14140.2-1993
北京
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硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法GB/T14146-2009,硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法GB/T14146-2009
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重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法GB/T14847-1993,用紅外反射法測量重摻雜硅襯底上輕摻雜硅外延層厚度的標準方法SEMIMF95-1107,重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射...
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