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應用領域:
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技術指標 0.001-100ppm 儀器用途 金屬中H分析
江蘇常州
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技術指標 溫度范圍：室溫～1550℃；溫度重復性：小于0.1℃；熱焓重復性：正負1%；天平分辨率：0.1ug；DSC分辨率：1uw 儀器用途 材料成分分析...
江蘇常州
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技術指標 波長范圍165-847nm；全波長覆蓋；分辨率小于等于0.007nm 儀器用途 黑色金屬，有色金屬及其它物料中金屬元素定量分析...
江蘇常州
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近場掃描光學顯微鏡 (Scan near-field optical microscopy)
主要技術指標：采用3DFlatscan掃描器，掃描范圍:XY方向70um、Z方向70um，另外有30um和10um掃描器選配，掃描步進：70um掃描器＜1nm、10um掃描器＜0.1nm，掃描器厚度7mm,重量75克；近場光學顯...
上海楊浦區
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技術指標 VDE/VDI1級 儀器用途 各類齒輪精度測量(齒形、齒向、齒距及齒距累積等參數）
江蘇常州
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技術指標?VDE/VDI1級?儀器用途?齒輪精度檢測、齒輪測繪
江蘇常州
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熒光光譜儀 (Fluorescence spectroscope)
主要技術指標：焦距320mm孔徑f/4.1光譜范圍150~1500nm，用1200條/mm光柵；光柵尺寸68mmx68mm支座上最多可裝光柵數3平場尺寸30mmx12mm分辨率(用出口狹縫和光電倍增管時)0.06nm波...
上海楊浦區
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掃描探針顯微鏡 (Scanning Probe Microscopy)
主要技術指標：掃描范圍：10μm×10μm橫向分辨率：~5nm(電學測量模式為10~20nm)CAFM電流分辨率<5pA 功能/應用范圍：功能包括：AFM，EFM，CAFM，SKM，SCM等...
上海楊浦區
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技術指標 MEPP:+/-3.0+L/400um 儀器用途 零件幾何尺寸、形位公差
江蘇常州
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主要技術指標：實時顯示數據結果，10秒鐘以內成像方式，脫離對傳統膠片等化學污染品的依賴，整個系統應具有多自由度調節，可以任意調整到需要的實驗位置。換樣時間小于5分鐘，方便迅速。...
上海楊浦區
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主要技術指標：簡單穩定的KLM鎖模，易于使用，可靠性高棱鏡或GTI補償GVD，獲得類孤子、接近轉換極限的脈沖X-Wave寬帶腔鏡組,覆蓋700-1000nm的調諧范圍(包括飛秒、皮秒組件)采用VerdiV18泵浦...
上海楊浦區
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真空系統 (Pulsed Laser Deposition)
主要技術指標：(1)每臺真空腔的極限本底真空<3 10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發生器;臭氧工作氣壓>1 10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導引管需安裝在compactZstage,移動范圍...
上海楊浦區
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強磁場低溫系統 (Low temperature superconducting magnet system)
主要技術指標：最大磁場15T，最低溫度300mK 功能/應用范圍：低溫時測量樣品在磁場下電學輸運性質 技術特色：垂直樣品的磁場能達到15T，測量噪聲低 ...
上海楊浦區
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主要技術指標：脈沖寬度：30-100fs;重復頻率：1kHz;調諧范圍：800-18000nm脈沖能量：1-1000uJ 功能/應用范圍：光譜；超快動力學研究 主要測試和研究領...
上海楊浦區
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主要技術指標：磁控濺射靶位：4個 功能/應用范圍：利用磁控濺射生長金屬或氧化物薄膜 主要測試和研究領域：其他...
上海楊浦區
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主要技術指標：CCD：100*1340pixels，CCD效率：400nm到900nm有85%以上的量子效率反射光柵：150G/mm，300G/mm，1200G/mmwith500nmblaze,150G/mmwith800nmblaze,300G/mm，1200G/mmwi...
上海楊浦區
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主要技術指標：波長：1064nm；脈沖寬度：30ps；重復頻率：20Hz；脈沖能量35mJ 功能/應用范圍：皮秒光譜 主要測試和研究領域：其他...
上海楊浦區
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主要技術指標：Avg.ModelockedPower:>300mW Bandwidth:>70nm CentralWavelength(nominal):800nm RepetitionRate:80MHz PulseWidth:<20fs Internal...
上海楊浦區
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主要技術指標：真空度5×10-10torr樣品溫度室溫～1000CPLD靶數量6個 功能/應用范圍：在高氣分下生長高質量的單晶薄膜 主要測試和研究領域：其他...
上海楊浦區
