2026年08月01日 星期六
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主要技術(shù)指標(biāo)：紅外像素及探測(cè)器類(lèi)型：320×240，氧化釩焦平面探測(cè)器；測(cè)溫范圍：-20°C-1200°C；熱靈敏度：0.05°C@60Hz及30°C(為非優(yōu)化模式下指標(biāo))；工作波長(zhǎng)：7.5...
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