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儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要性能技術(shù)指標(biāo)一、標(biāo)稱內(nèi)容積：2.36m3二、內(nèi)箱尺寸：W1300×H1300×D1400mm三、溫度范圍：－70～+150℃四、溫度變化最大速率：≥10℃/min五、濕...
浙江;江蘇;上海
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主要性能技術(shù)指標(biāo)一、標(biāo)稱內(nèi)容積：0.21m3二、內(nèi)箱尺寸：W600×H700×D500mm三、溫度范圍：-70～+150℃四、溫度最大變化速率：≥5℃/min(標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載下，-...
浙江;江蘇;上海
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主要性能技術(shù)指標(biāo)一、標(biāo)稱內(nèi)容積：432L二、內(nèi)箱尺寸：W600mm×H1200mm×D600mm三、溫度范圍：(環(huán)境溫度+20)℃~300℃四、升溫時(shí)間：(環(huán)境溫度+20)℃~300℃...
江蘇;浙江;上海
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.設(shè)備為防氯基、氟基腐蝕的防腐設(shè)備，支持氯基、氟基刻蝕氣體；2.極限真空度：刻蝕室≤2.0×10-4Pa(環(huán)境濕度≤55%，烘烤除氣)，進(jìn)樣取樣室≤6.7×10-1Pa；3.抽速：...
上海浦東新區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：FrontpneumaticallylockingslidingdoorforeasysourceandsubstrateaccessMotorisedsubstraterotationFullcomputercontrolwithrecipefunctionsOpt...
上海浦東新區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：全球最高帶寬實(shí)時(shí)示波器63GHz帶寬，2通道/33GHz帶寬，4通道160GSa/s采樣率，2通道/80GSa/s采樣率，4通道業(yè)界容量最深的存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)容量高達(dá)2Gpts，每個(gè)通道...
上海浦東新區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.高速度：1分鐘內(nèi)完成對(duì)11塊板加樣2.高精度：加樣0.1L時(shí)C.V<10%,采用特殊設(shè)計(jì)的注射器，可以準(zhǔn)確分裝50nl樣品3.配備X-Y方向可以高速移動(dòng)(6英寸/秒)的載臺(tái)，載...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：高真空 功能/應(yīng)用范圍：制備薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：按樣品、小時(shí)數(shù)收費(fèi) 儀器負(fù)責(zé)人：金慶原 電話：65642059...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：8寸 功能/應(yīng)用范圍：拋光硅片 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方式 ...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率：10kW 功能/應(yīng)用范圍：可用于氧化物等薄...
上海楊浦區(qū)
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硅分子束外延系統(tǒng) (Silicon Molecular Beam Epitaxy System)
主要技術(shù)指標(biāo)：真空<1X10-9torr 功能/應(yīng)用范圍：SiliconMolecularBeamEpitaxySystem(RiberEva-32)two-chambersystemfacilitatedwithtwoe-beamsources,Band...
上海楊浦區(qū)
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超高真空磁控濺射儀 (ultra-high vacuum magneto-sputtering system)
主要技術(shù)指標(biāo)：多功能三室7個(gè)靶位 功能/應(yīng)用范圍：給基片濺射鍍各種膜制作樣品 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他...
上海楊浦區(qū)
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磁光測(cè)量低溫恒溫系統(tǒng) (magneto plasmadynamic measurement low temperature
主要技術(shù)指標(biāo)：用于磁光效應(yīng)的檢測(cè)，可以測(cè)量其偏振性，相干性 功能/應(yīng)用范圍：磁體，光學(xué)測(cè)量 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾其他...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：JGP450 功能/應(yīng)用范圍：基片上濺射各種薄膜制作樣品 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：實(shí)時(shí)顯示數(shù)據(jù)結(jié)果，10秒鐘以內(nèi)成像方式，脫離對(duì)傳統(tǒng)膠片等化學(xué)污染品的依賴，整個(gè)系統(tǒng)應(yīng)具有多自由度調(diào)節(jié)，可以任意調(diào)整到需要的實(shí)驗(yàn)位置。換樣時(shí)間小于5分鐘，方便迅速。...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：真空度5×10-10torr樣品溫度室溫～1000CPLD靶數(shù)量6個(gè) 功能/應(yīng)用范圍：在高氣分下生長(zhǎng)高質(zhì)量的單晶薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他...
上海楊浦區(qū)
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真空系統(tǒng) (Pulsed Laser Deposition)
主要技術(shù)指標(biāo)：(1)每臺(tái)真空腔的極限本底真空<3 10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發(fā)生器;臭氧工作氣壓>1 10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導(dǎo)引管需安裝在compactZstage,移動(dòng)范圍...
上海楊浦區(qū)
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強(qiáng)磁場(chǎng)低溫系統(tǒng) (Low temperature superconducting magnet system)
主要技術(shù)指標(biāo)：最大磁場(chǎng)15T，最低溫度300mK 功能/應(yīng)用范圍：低溫時(shí)測(cè)量樣品在磁場(chǎng)下電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì) 技術(shù)特色：垂直樣品的磁場(chǎng)能達(dá)到15T，測(cè)量噪聲低 ...
上海楊浦區(qū)
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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Thin Film Depostion System)
主要技術(shù)指標(biāo)：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應(yīng)用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：系統(tǒng)的極限壓強(qiáng)可達(dá)≤5x10-8Torr；30分鐘從大氣壓抽到≤5x10-6Torr;坩堝的數(shù)目4個(gè)，坩堝的容量不小于7cc;電子槍功率不小于5kW。 功能/應(yīng)用范圍：主要用于...
上海楊浦區(qū)
