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半導體雷擊浪涌發(fā)生器SOSIN 8/20

雷擊浪涌發(fā)生器SOSIN 8/20 660V半導體雷擊浪涌發(fā)生器詳情說明 8/20半導體/手機配件低電壓雷擊浪涌發(fā)生器雷擊浪涌發(fā)生器技術參數 1、雷擊浪涌發(fā)生器介紹雷擊浪涌發(fā)生器SOSIN 8/20專門針對防浪涌保護等半導體器件及通信產品而設計的防浪涌測試產品，產品符合IEC61000-4-5和GB/T17626.5及 GR-1089-CORE等相關標準要求。 2、產品設計制造依據標準 l GB/T 17626.5-2008《電磁兼容試驗和測量技術浪涌(沖擊)抗擾度試驗》 lIEC61000-4-5：Testing and measurement techniques-Surge immunity test 3、產品特點 ●7寸彩色觸摸屏； ●支持中英文語言，方便不同用戶使用； ●內置環(huán)境自動檢測程序；產品技術參數主機技術參數符合標準 GB/T 17626.5、IEC61000-4-5、GR-1089-CORE 操作方式 7英寸彩色觸摸屏浪涌波形開路電壓波：1.2±30% /50μs ±20% 短路電流波：8±30% /20 μs±20% 開路電壓 2～660V±10% 短路電流 1～330A 浪涌極性正 / 負，正負交替輸出阻抗 2 Ω 輸出模式通電測試、脫電測試耦合/去耦網絡內置，8A 次數 1～9999 次間隔時間 3～9999s 工作電源 AC220V 50/60Hz 環(huán)境溫度 15 ℃～35 ℃ CDN技術參數耦合浪涌電壓 5～±660V 耦合電容 9uF / 18uF 去耦電感 1.5mH 共模電阻 10Ω 容量 DC 1～300V，5A 4、雷擊浪涌發(fā)生器實測波形 1.開路1.2/50μS電壓波形 2.短路8/20μS電流波形

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