檢測認證人脈交流通訊錄
SJ 20744—1999半導體材料雜質含量紅外吸收光譜分析通用導則
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對應法規：SJ 20744—1999
CNAS認可項目：是 - 適用范圍： 本標準規定了半導體材料中雜質含量的紅外吸收分析方法的術語、基本原理、儀器 設備、樣品制備、測量條件、測量步驟和測量結果的計算。 本標準適用于在紅外光譜區為透明的并在該區域產生雜質吸收帶的任何半導體單晶材料紅外分析方法。 差示法： 將基本上不含所測雜質并與未知試樣具有基本相同厚度和同樣表面質量基體材料的晶片，放入光譜儀參照光路中，消除由于迭加以及反射、散射損失以及晶格吸收產生干擾的一種測量方法。 空氣參比法： 當無迭加帶干擾被測定雜質的吸收帶時，光譜儀參照光路中使用空氣的一種參比方法。 材料： a.氟化鋇(BaF2)適用于0.13?12μm波長范圍，不溶于水，但對機械及熱的沖擊反 應靈敏； b.氟化鈣（CaF2)適用于0.18?10μm波長范圍，不溶于水，耐酸、機械強度高； c. 碘化銫（CsI)適用于0.24?55 μm波長范圍，適用波長范圍寬，溶解于水及乙 醇，質地軟，極易吸潮、且價格昂貴； d.溴化鉀（KBr)適用于0.25?30μm波長范圍，溶解于水，稍溶于乙醇、機械強 度好，成本低且易拋光，是最通用的窗口材料； e.氯化鈉（NaCl)適用于0.25?15μm波長范圍，溶解于水，微溶于乙醇、機械強度高；氯化鉀（KCl)適用于0.21?30μm波長范圍，類似于NaCl,但溶解度較小，有較寬的透射范圍。 測試報告： 測試報告應包括如下內容： a.試樣來源及編號； b.所用測量方法； c.所用測量儀器及選用參數； d.操作者及測量單位； e.雜質含量; f.測量曰期。
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