聯系人：徐靜(18616382643)、樓燕燕(18930057056)

 

儀器簡介：

 

　　主要配置：微波光電導衰減法：激發波長905nm，最小掃描步長1mm。LBIC四個激發波長：408nm，850nm，950nm，980nm，最小掃描步長100um。

 

　　主要用途：

 

　　主要應用于半導體/光電/光伏材料(單晶/多晶硅片及硅錠)領域。采用(繪圖測量)單晶和多晶硅塊/錠，任意形狀、半徑的硅片的微波光電導衰減法測量硅片少數載流子壽命。通過測量少子壽命，可做出晶體生長及工藝過程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。可測試電池片的光誘導電流，擴散長度，反射率，計算內、外量子效率。此外，還可進行無接觸方塊電阻測試；渦流場體電阻率測試；pn結電阻率測量等。

 

主要技術指標：

 

　　1.微波光電導衰減法測少子壽命:

 

　　1.1壽命測試范圍：0.1 us–30 ms

 

　　1.2測試分辨率：0.1%

 

　　1.3掃描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm

 

　　1.4樣品的電阻率范圍：0.1–1000ΩCM

 

　　1.5測試光點直徑：1mm

 

　　1.6測試速度：30ms/數據點

 

　　1.7最大測試點數：超過360000

 

　　1.8激光源波長：904nm

 

　　1.9光源脈沖寬度：200ns,fall time 10ns

 

　　2.光誘導電流測試

 

　　2.1掃描區域：最大210´210 mm

 

　　2.2測試電流范圍：1 uA–1mA

 

　　2.3光源波長：403，880，950，980 nm

 

　　2.4選加功能：硅片，電池的上述激光波長反射率掃描，電池的IQE，EQE掃描

 

　　2.5通過兩個以上的激光器，可以計算少數載流子的擴散長度

 

　　3.方塊電阻測試:無接觸方塊電阻測試功能，以取代傳統的四探針

 

　　3.1可測試樣品：np or pn structure

 

　　3.2測試范圍：10Ω/sq to 1000Ω/sq

 

　　3.3測試分辨率：2%

 

　　3.4掃描分辨率：10mm

 

　　3.5測試精度：< 3%

 

　　3.6測試重復性：< 1%

 

　　4.體電阻率掃描:渦流場測試，無接觸，無損傷測試

 

　　4.1測試范圍：0.5–20ΩCM

 

　　4.2測試精度：3-6 %

 

　　4.3測試重復性：2%

 

　　4.4探頭直徑：5 mm

 

　　5. p型硅樣品，范圍：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3

 

　　應用范圍：

 

　　半導體/光電/光伏材料中的單晶/多晶硅片及硅錠等