技術指標：*行星轉盤式反應腔*含有惰性氣體手套箱×射頻加熱系統，最高溫度可以達到850C *EBARA 150M3/h 干式真空泵×包含一套標準備件×在線和遠程控制計算機 *2×TMGa, 2×TMAl, 2*TMIn. 2*PH3, 3*AsH3. 1*TMGa, 1*DEZn, 1*Cp2Mg, 1*CBr4,2*SiH4, 3* Dummy Line , 3* DP 全部為水冷冷井 *EpiTT 在線測溫測厚監控系統 ×MO源濃度控制系統 ×AsH3/ PH3 純化系統 ×H2/N2 露點儀 ×真空吸筆

儀器用途：Aixtron 2600G3擁有行星轉盤式專利的工藝技術，提供了良好的均勻性，對硬件和IC平臺進行了改進，效率更高、生產速度也更快，且具備高標準的本地支持和服務。大功率半導體激光器的技術難點為1.薄膜材料的制備：多層薄膜的制備，薄膜組份的控制。2.結構外延材料的生長：量子阱或多量子阱結構材料的外延生長。Aixtron 2600G3為本實驗室研制生產大功率半導體激光器提供關鍵的技術支持，可制備出結構復雜、均勻性良好的激光器。

收費標準：面議

機組負責人：張麗芳  0512-66806316  zhanglf@sibet.ac.cn