掃描電鏡（SEM），全稱掃描電子顯微鏡（scanning electron microscope）。是一種利用電子束掃描樣品表面從而獲得樣品信息的電子顯微鏡。它能產生樣品表面的高分辨率圖像，且圖像呈三維，掃描電子顯微鏡能被用來鑒定樣品的表面結構。它由三大部分組成：真空系統，電子束系統以及成像系統。 掃描電鏡 - 性能參數 放大倍數 掃描電鏡的放大倍數M定義為：在顯像管中電子束在熒光屏上最大掃描距離和在鏡筒中電子束針在試樣上最大掃描距離的比值　M=l/L式中l指熒光屏長度；L是指電子束在試樣上掃過的長度。這個比值是通過調節掃描線圈上的電流來改變的。 景深 掃描電鏡的景深比較大，成像富有立體感，所以它特別適用于粗糙樣品表面的觀察和分析。 分辨率 分辨本領是掃描電鏡的主要性能指標之一。在理想情況下，二次電子像分辨率等于電子束斑直徑。 場深 在SEM中，位于焦平面上下的一小層區域內的樣品點都可以得到良好的會焦而成象。這一小層的厚度稱為場深，通常為幾納米厚，所以，SEM可以用于納米級樣品的三維成像。 作用體積 成像效果——紅細胞掃描電鏡圖 電子束不僅僅與樣品表層原子發生作用，它實際上與一定厚度范圍內的樣品原子發生作用，所以存在一個作用“體積”。 作用體積的厚度因信號的不同而不同： 歐革電子：0.5～2納米。 次級電子：5λ，對于導體，λ=1納米；對于絕緣體，λ=10納米。 背散射電子：10倍于次級電子。 特征X射線：微米級。 X射線連續譜：略大于特征X射線，也在微米級。 現在掃描電鏡已廣泛用于材料科學（金屬材料、非金屬材料、納米材料）、冶金、生物學、醫學、半導體材料與器件、地質勘探、病蟲害的防治、災害（火災、失效分析）鑒定、刑事偵察、寶石鑒定、工業生產中的產品質量鑒定及生產工藝控制等。